重庆时时彩开奖号码-重庆时时彩官方网站 tt娱乐_百家乐乐赌_新全讯网之一(中国)·官方网站

學術報告——氧化鉿(HfO2)高K薄膜的制備及ALD生長行為分析

作者:來源:西華大學發布時間:2023-11-24瀏覽次數:714

報 告 人:楊志(副教授,碩士生導師

報告時間:20231129日 下午14:00 -15:30

報告地點:宜賓校區 Y1-311多媒體教室

主辦單位:材料科學與工程學院

報告人簡介:

楊志,博士,副教授,碩士生導師,201712月畢業于西安交通大學,同年加入西華大學材料科學與工程學院,2019年入選西華大學青年后備人才支持計劃,現任中國腐蝕與防護學會第十屆緩蝕劑與水處理專業委員會委員,四川省人社廳專家服務團專家。近年來,參與或主持各類科研項目10余項,在國內外學術期刊發表SCI論文20余篇,申請國家專利5項。研究方向包括:材料物性的理論計算、新能源材料、先進薄膜材料及性能表征等。

內容簡介:原子層沉積(ALD)是一種適合于研制最新的和前沿性的產品的薄膜制備技術,也是一種用于納米技術研究的有效方法,可在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。報告介紹了原子層沉積的基本原理,氧化鉿生長過程中的表面吸附與生長模式演變,氧化鉿薄膜表面動態演化及薄膜生長行為演變等。

歡迎納米技術專業及相關領域老師、同學參加!



責編:

編審:程訪然

維護:西華大學·網管中心 蜀ICP備05006459號-1

川公網安備 51010602000503號

娱乐城873| 赌球心得| 百家乐棋牌游戏币| 新建县| 至尊百家乐20111110| 澳门赌场着装| 真人百家乐开户优惠| 菲律宾百家乐官网的说法| 大发888pt| 大家旺百家乐娱乐城| 百家乐官网翻天粤| 大发888游戏平台hg dafa888 gw| 试玩区百家乐官网1000| 大发888娱乐城下载地址| 百家乐官网倍投| 百家乐官网赌博怎么玩| 百家乐电影网| 百家乐游戏必赢法| 百家乐官网玄机| 南充市| 大发888我发财| 百家乐强弱走势图| 优惠搏百家乐官网的玩法技巧和规则 | 澳门金沙娱乐场| 百家乐官网打法分析| 大发888娱乐场东南网| 百家乐大西洋城v| 百家乐出千大全| 线上百家乐官网代理| 托克托县| 联众德州扑克| 大发888 游戏下载| 百家乐官网游戏| 视频百家乐官网平台| 百家乐官网群sun811| 新澳门百家乐官网软件下载| 大埔区| 网上棋牌赌博| 太阳城娱乐城官方网| 玩百家乐必赢的心法| 易胜博百家乐娱乐城|